Laserinduziertes Tiefenätzen
Laserinduziertes Tiefenätzen (englisch Laser Induced Deep Etching, LIDE) ist ein Verfahren der Mikrosystemtechnik zur Herstellung tiefer Mikrostrukturen in Glas. Mittels LIDE können Mikrostrukturen mit einem Aspektverhältnis von > 1:50 hergestellt werden. Typische Strukturgrößen liegen im Bereich 10 Mikrometer.
Geschichte[Bearbeiten]
Das Laserinduzierte Tiefenätzen wurde von der Firma LPKF Laser & Electronics AG entwickelt. Im Jahr 2017 wurde die Entwicklung des LIDE-Verfahrens mit dem Cluster Semiconductor[1] geehrt. Neben der zunächst primär verfolgten Anwendung Through Glass Vias wird das Verfahren inzwischen in einer Vielzahl von Anwendungen in der Mikrosystemtechnik verwendet.
Prozessbeschreibung[Bearbeiten]
Ausgangspunkt für das Laserinduzierte Tiefenätzen[2] sind handelsübliche Dünnstgläsern mit einer Stärke von bis zu 0,9 mm. Die LIDE Bearbeitung erfolgt in zwei aufeinanderfolgenden Prozessschritten:
- Laserbehandlung mittels eines speziell entwickelten Lasersystems der Firma LPKF Laser & Electronics AG
- Nasschemisches Ätzen
Anwendungsfelder[Bearbeiten]
Die Anwendungsfelder des LIDE Verfahrens finden sich in den Bereichen IC Packaging, MEMS Packaging und Mikrofluidik[3]
Einzelnachweise[Bearbeiten]
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